Bedienungsanleitung Samsung Sam4S ER-380 (Seite 33 von 102) (Englisch)

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6 Reference Information

SAM4S ER-380 SERIES 6-3

6-1 Semiconductor Base Diagram

6-1-2 Memorys

Figure 6-1 SRAM K6T1008C2E Specification

Figure 6-2 SRAM K6T4008C2E Specification

PIN DESCRIPTION

Pin Name Function

Write Enable Input

Chip Select Input

Output Enable Input

Address Inputs

I/O

~I/O

Data Inputs/Outputs

Vcc Power

Vss Ground

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

32-DIP

32-SOP

(Forward)

32-TSOP2

A16

A14

A12

I/O1

I/O2

I/O3

VSS

VCC

A15

A13

A11

A10

I/O8

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

32-TSOP2

A16

A14

A12

I/O1

I/O2

I/O3

VSS

VCC

A15

A13

A11

A10

I/O8

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

(Reverse)

A18

A17

A18

Precharge circuit.

Memory array

1024 rows

512×8 columns

I/O Circuit

Column select

Clk gen.

Row

select

I/O

Data

cont

Data

cont

I/O

Control

logic

PIN DESCRIPTION

Name Function

1, CS2 Chip Select Input

Output Enable Input

Write Enable Input

I/O

1~I/O8 Data Inputs/Outputs

0~A16 Address Inputs

Vcc Power

Vss Ground

NC No Connection

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

Precharge circuit.

Memory array

1024 rows

128×8 columns

I/O Circuit

Column select

Clk gen.

Row

select

I/O1

Data

cont

Data

cont

I/O8

CS1

CS2

Control

logic

A11

A13

CS2

A15

VCC

A16

A14

A12

A10

I/O8

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

VSS

I/O3

I/O2

I/O1

Type1-Forward

A16

A14

A12

I/O1

I/O2

I/O3

VSS

VCC

A15

CS2

A13

A11

A10

I/O8

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

32-DIP

32-TSOP

32-SOP

Column Address

Raw

Address

A12

A14

A16

VCC

A15

CS2

A13

A11

I/O1

I/O2

I/O3

VSS

I/O4

I/O5

I/O6

I/O7

I/O8

CS1

A10

Type1-Reverse

32-TSOP

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Samsung Sam4S ER-380 Seite 33

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